機(jī)械繼電器VS MOS FET繼電器

①尺寸小巧，有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化、高密度化

以10個貼裝面積進(jìn)行比較時(0.3mm間隔的貼裝)

②長壽命

由于沒有接點(diǎn)(＝無機(jī)械壽命)，所以有助于削減采用大量繼電器的商品維護(hù)頻率。

③穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻

與機(jī)械式繼電器相比，無接點(diǎn)MOS FET繼電器的導(dǎo)通電阻不依賴于開關(guān)次數(shù)。

持續(xù)保持穩(wěn)定的低導(dǎo)通電阻。

④低功耗

與干簧管繼電器相比，輸入側(cè)的消耗功率極低，可為設(shè)備的節(jié)能作貢獻(xiàn)。

⑤其他特性

半導(dǎo)體設(shè)備 VS MOS FET繼電器

①優(yōu)異的線性度特性

由于晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器的輸出側(cè)單元所具線性度較低，所以在輸出之間通過的信號會發(fā)生失真。
MOS FET繼電器與晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器不同，可通過與機(jī)械式繼電器相匹配的超群線性度特性，有效抑制信號的失真。
可控制模擬信號，所以最適用于測試器、測量設(shè)備。

②穩(wěn)定的低電流驅(qū)動有助于節(jié)能

MOS FET繼電器

如果是MOS FET繼電器，輸出切換電流則不會受到輸入電流的影響。
MOS FET繼電器通過極小電流即可運(yùn)行，可為設(shè)備的節(jié)電作貢獻(xiàn)。在達(dá)到使用壽命后，輸出電流不會像晶體管耦合器那樣下降。

晶體管耦合器

晶體管耦合器在增大輸入側(cè)電流時，輸出側(cè)電流也會變大，所以與MOS FET繼電器相比，會消耗更多的電力。
因此，LED老化會使輸出也跟隨減弱，由此需要更多的電力。

③通過低輸入電流控制高輸出切換電流

④微小漏電流

與其他半導(dǎo)體設(shè)備相比，關(guān)閉狀態(tài)時的漏電流極小，所以還可執(zhí)行微小電流的測定?？刂贫嘤嗟穆╇娏鳎兄谝种菩阅芾匣掳l(fā)熱下降或電路的錯誤動作。

⑤支持AC/DC的豐富種類

可支持AC和DC的豐富種類擴(kuò)大了應(yīng)用的使用范圍。